SIS990DN-T1-GE3 ورقة البيانات
مواصفات SIS990DN-T1-GE3
رقم القطعة :
SIS990DN-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
سلسلة :
TrenchFET®
حالة الجزء :
Active
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET :
Standard
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
12.1A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
85 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
8nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
250pF @ 50V
أقصى القوة :
25W
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
PowerPAK® 1212-8 Dual
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® 1212-8 Dual
وزن :
-
شرط :
جديدة ومبتكرة
ضمان الجودة :
365 يوما الضمان
الأسهم الموارد :
تلزيمها الموزع / الصانع المباشر
بلد المنشأ :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
الصانع الجزء رقم
الجزء رقم الداخلية
ABC-SIS990DN-T1-GE3
الصانع
وصف مختصر
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
الحالة بنفايات
خالية من الرصاص / توافق RoHS
موعد التسليم
1-2 أيام
الكمية المتوفرة
1500660 قطع
السعر المرجعي
سعرنا
- (يرجى الاتصال بنا للحصول على سعر أفضل: [email protected])
- ABC أشباه الموصلات ديك SIS990DN-T1-GE3 في الأوراق المالية للبيع.
- الشحن الخيارات ووقت الشحن:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- خيارات الدفع:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
منتجات ذات صلة ل SIS990DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
| رقم القطعة | علامة تجارية | وصف | يشترى |
|---|---|---|---|
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7.1NS 256FTBGA |
||
|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 512MC 7.5NS 352SBGA |
||
|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 512MC 5NS 176TQFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9.2NS 324BGA |
||
|
Intel |
IC CPLD 64MC 7.5NS 44TQFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 10NS 208QFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7NSNS 324BGA |
||
|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 256MC 7.5NS 272BGA |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 12NS 256FBGA |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9NS 324BGA |