SIHP30N60E-GE3 ورقة البيانات
مواصفات SIHP30N60E-GE3
رقم القطعة :
SIHP30N60E-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
سلسلة :
E
حالة الجزء :
Active
نوع FET :
N-Channel
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
29A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (ماكس) :
±30V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2600pF @ 100V
ميزة FET :
-
تبديد الطاقة (ماكس) :
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Through Hole
حزمة جهاز المورد :
-
حزمة / القضية :
TO-220-3
وزن :
-
شرط :
جديدة ومبتكرة
ضمان الجودة :
365 يوما الضمان
الأسهم الموارد :
تلزيمها الموزع / الصانع المباشر
بلد المنشأ :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
الصانع الجزء رقم
الجزء رقم الداخلية
ABC-SIHP30N60E-GE3
الصانع
وصف مختصر
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
الحالة بنفايات
خالية من الرصاص / توافق RoHS
موعد التسليم
1-2 أيام
الكمية المتوفرة
113008 قطع
السعر المرجعي
سعرنا
- (يرجى الاتصال بنا للحصول على سعر أفضل: [email protected])
- ABC أشباه الموصلات ديك SIHP30N60E-GE3 في الأوراق المالية للبيع.
- الشحن الخيارات ووقت الشحن:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- خيارات الدفع:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
منتجات ذات صلة ل SIHP30N60E-GE3 Vishay Siliconix
| رقم القطعة | علامة تجارية | وصف | يشترى |
|---|---|---|---|
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9.2NS 324BGA |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 10.8NS 256BGA |
||
|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 384MC 3.5NS 176TQFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 128MC 5NS 144TQFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 128MC 7.5NS 100TQFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 128MC 7.5NS 100TQFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 7NSNS 324BGA |
||
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC CPLD 32MC 12NS 44LQFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 10.8NS 324BGA |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 12NS 144TQFP |